菏泽市第三代半导体GaN氮化镓RF射频及功率芯片，集成电路芯片及封测生产工程

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项目名称:菏泽市第三代半导体GaN氮化镓RF射频及功率芯片，集成电路芯片及封测生产工程

发布日期： ******

项目编号：24523509

投资金额： 40000(万元)

更新链接：更新

钢结构： 是

幕墙： 未能确定

采暖： 未能确定

装修： 无装修

车库： 未能确定

空调： 未能确定

电梯： 未能确定

项目阶段：施工

项目类别： 厂房

项目内容：

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施工地点：山东省菏 ******

开工日期： 2020-12

竣工日期： 2022-05